聚丙烯薄膜厚度为35μm-100μm，优选地聚丙烯薄膜厚度为35μm-50μm，而铜电极的厚度小于等于聚丙烯薄膜的厚度，以便在热压过程中，聚丙烯薄膜在软化后有足够的厚度可以粘结于电池片表面；
聚丙烯薄膜横向拉伸强度为≥10mpa，纵向拉伸强度为≥10mpa，这些强度指标能够满足铜电极与聚丙烯薄膜复合所需要的性能，太小则无法实现复合；
聚丙烯薄膜横向伸长率为≥200％，纵向伸长率为≥200％；
聚丙烯薄膜纵向热收缩率为≤4％，横向热收缩率≤1％，聚丙烯薄膜需要热压于电池片表面，在受热情况下，其热稳定性是极为关键的；
聚丙烯薄膜与电池片的粘结力为≥10n/cm，聚丙烯薄膜需要热压于电池片表面，聚丙烯薄膜与电池片的粘结力要达到一定程度才可以实现；
在380nm-1100nm的波长范围内，所述聚丙烯薄膜透光率≥85％，聚丙烯薄膜除了作为固定膜外，其还起到了代替eva胶膜的作用，其透光率将直接影响电池片的光照情况，聚丙烯薄膜的透光率需达到此要求；
该Pt电极 通过如下方法而形成，即在氩气气氛下在室温中溅射Pt源、在氩气气氛下以300~700°C的温度进行加热的状态下溅射Pt源、或者在氩气气氛下在室温中溅射Pt源，之后在相同的气氛下以300~700°C的温度进行加热。本发明的Pt电极通过加热而引起Pt粒子生长，且表面粗糙度增大，优选在室温中溅射Pt源而不进行热处理。并且，作为被Pt电极包覆的基 板，还可举出在Si基材上依次层叠SiO2层、Ir层、IrO层及Pt层(顶层）的基板、或在Si基材上 依次层叠SiO2层、TiN层及Pt层(顶层）的基板。作为被Pt电极包覆的基板，还可举出在 Si基材上依次层叠SiO2层、Ta层及Pt层(顶层）的基板、或在Si基材上依次层叠 SiO2层、Ir层及Pt层（顶层）的基板。只要是在基材上依次层叠绝缘体层、粘附层及下部电极的基板，则不限定于上述基板。另一方面，在用于铁电存储器用电容器或压电元件、热释电型红外线检测兀件等的电极时，可以使用娃基板、在Si基材上层置Si〇2的基板、监宝石基板等耐 热性基板。
