ABS 吉林石化ABSGE150
随着消费者对面板的要求，要求面板除了带有纹理外还需要半透效果，为了生产商就在透明薄膜作uv纹理转印后再在透明薄膜的背面印刷半透油墨来实现半透带纹理的效果，半透油墨印刷在薄膜印刷时会有颗粒物存在，也会存在印刷痕迹，这样光线从薄膜那透出时会很明显看出，从而无法满足光学显示所需的较高场合，效果较差。
目前在Si衬底上制备GaN单晶薄膜的质量不如蓝宝石衬底上制备的GaN单晶薄膜，主要有以下原因：1)Si与GaN的晶格失配很大(-16.9％)，会使GaN外延层出现大量的位错。2)Si的热膨胀系数为2.59×10-6K-1，与GaN热失配高达54％，这样会导致在外延膜中产生巨大的张应力，从而更容易引起外延膜的龟裂。3)在Si衬底上外延生长GaN时，由于Si-N的键能很大，Si衬底在高温下遇活性N易在界面处容易形成无定形的SixNy层，这严重影响了氮化物薄膜的生长质量。氮化物薄膜是由金属有机化合物气相沉积(MOCVD)高温生长技术制备而得，由于氮化物外延层与新型衬底之间具有较大的热膨胀系数失配，导致在降温过程中会对外延薄膜引入大量缺陷和裂纹，大大降低了氮化物薄膜的性能。针对这一问题，应在低温的生长条件来进行外延生长，低温外延生长既可以避免界面反应层的出现，还可以避免出现热应力导致薄膜龟裂等情况。由此，在低温下就能进行外延生长的脉冲激光沉积(PLD)技术无疑是一种很好的选择。PLD采用高能激光烧蚀靶材，烧蚀粒子在吸收了脉冲激光能量后具有高能的特点，粒子带来相当大的动能，可以实现在低温衬底上较快迁移和扩散，从而使沉积粒子能在脉冲间断时间内朝着平衡位置迁移，实现在低温下高质量氮化物单晶薄膜的外延生长。
目前采用PLD技术生长III族氮化物薄膜已较为常见，采用PLD技术在新型衬底上制备得光电器件的研究仍少有报道。一方面，由于低温外延生长设备的局限性，目前采用PLD法进行氮化物薄膜高效掺杂的难度较大，对于靶材的组分、纯度等要求很高；另一方面，PLD生长的速度很快。PLD的这些缺点，严重限制了它的推广和应用范围。