2.2反向恢复技术条件测试参数：1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、Qrr(反向恢复电荷)：1～1000uC1～50uC±5%±0.1 uC50～200uC±5%±1 uC200～1000uC±5%±2uC3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns20～100±5%±1ns100～500±5%±2ns500～2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ0.5～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～200mJ±5%±1mJ200～1000mJ±5%±2mJ测试条件：1、正向电流IFM：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围：200～10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围：100～10000V/us
近两年IGBT测试仪持续火爆，新能源汽车，轨道交通，变频器用IGBT测试仪现货供应，风力发电等等都需要大量的IGBT模块，所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪，便携式IGBT测试仪现货供应，可以测试1200A，5000V以内的IGBT模块，基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了，我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数，吉林IGBT测试仪现货供应，对一些检修，维护领域的工作有比较好的帮助，目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪，新能源汽车专用IGBT测试仪现货供应，包括动态测试仪，与的设备也可以放在一起竞争了，而且我们不怕竞争，这对我们是一种促进。
华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。GB/T29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB 13869-2008用电安全导则GB19517-2004 国家电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC60529：2001，IDT）GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管
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